Keramični substrat iz silicijevega nitrida Si3n4

Keramični substrat iz silicijevega nitrida Si3n4

Keramični substrat iz silicijevega nitrida Si3n4 je vrsta naprednega materiala, ki se uporablja v številnih različnih aplikacijah, od elektronike do vesoljske industrije. Ima edinstveno kombinacijo lastnosti, zaradi katerih je ena najbolj vsestranskih in trpežnih keramik. Silicijev nitrid je izjemno trd in močan material, zaradi česar je zelo odporen proti obrabi. Ima odlično termično stabilnost, kar pomeni, da lahko prenese visoke temperature, ne da bi pri tem poslabšal ali izgubil svoje lastnosti. Poleg tega ima visoko električno izolacijo, saj zagotavlja odlično izolacijo in zaščito električnih komponent.

Keramični substrat iz silicijevega nitrida se uporablja v različnih elektronskih komponentah, kot so močnostni polprevodniki in svetleče diode (LED), zaradi svoje odlične toplotne prevodnosti in lastnosti odvajanja toplote. Zaradi svoje izjemne trdnosti in žilavosti se uporablja tudi v mehanskih aplikacijah, kot so visokohitrostni ležaji in rezalna orodja. Letalska industrija uporablja keramični substrat iz silicijevega nitrida v aplikacijah pri visokih temperaturah, kot so deli turbin, zaradi njegove odlične odpornosti na toplotne udarce in odpornosti proti oksidaciji.

Na splošno je keramični substrat iz silicijevega nitrida izjemen material s široko paleto uporabe. Zaradi njegove vzdržljivosti, toplotne stabilnosti, električne izolacije in mehanske trdnosti je priljubljena izbira v številnih panogah.

Vabimo vas, da pridete v našo tovarno in kupite najnovejšo, nizkocenovno in visokokakovostno keramično podlago iz silicijevega nitrida. Torbo se veseli sodelovanja z vami.

Keramični substrat Torbo®Silicon Nitride Si3n4

Artikel: keramični substrat iz silicijevega nitrida Si3n4

Material: Si3N4

Barva: siva

Debelina: 0,25-1 mm

Površinska obdelava: Dvojno polirano

Nasipna gostota: 3,24 g/㎤

Površinska hrapavost Ra: 0,4 μm

Upogibna trdnost: (3-točkovna metoda): 600-1000Mpa

Modul elastičnosti: 310Gpa

Zlomna žilavost (metoda IF): 6,5 MPa･√m

Toplotna prevodnost: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor dielektrične izgube: 0,4

Prostorninska upornost: 25°C >1014 Ω･㎝

Prelomna trdnost: DC >15㎸/㎜