Keramični substrat iz silicijevega nitrida za elektroniko

Keramični substrat iz silicijevega nitrida za elektroniko

Keramični substrat iz silicijevega nitrida za elektroniko je posebna vrsta keramičnega materiala, ki se uporablja v različnih industrijskih aplikacijah, kjer se zahteva visoka trdnost, vzdržljivost in toplotna stabilnost. Narejen je iz kombinacije silicija, dušika in drugih elementov, ki mu dajejo edinstvene mehanske, toplotne in kemične lastnosti.

Keramični substrat Si3N4 ima izjemno mehansko trdnost, zaradi česar je zelo odporen na obrabo in poškodbe zaradi udarcev in stiskanja. Prav tako je zelo odporen na toplotne udarce in lahko prenese hitre temperaturne spremembe brez razpok ali zlomov. Zaradi tega je idealen za uporabo v visokotemperaturnih industrijah, kot so vesoljska industrija, avtomobilski inženiring in druga področja, kjer je potrebno odvajanje toplote.

Keramični substrat Si3N4 poleg svojih mehanskih in toplotnih lastnosti nudi tudi odlično električno izolacijo in dobro odpornost proti koroziji v težkih okoljih. Uporablja se v elektronskih in polprevodniških aplikacijah, kot so napajalni moduli in visokotemperaturna elektronika, zaradi odličnega odvajanja toplote in izolacijskih lastnosti.

Na splošno je keramični substrat iz silicijevega nitrida Si3N4 izjemen material s široko paleto aplikacij. Zaradi izjemne mehanske trdnosti, toplotne stabilnosti, električne izolacije in kemične odpornosti je idealen za različne industrijske in elektronske aplikacije, kjer sta zanesljivost in učinkovitost kritična dejavnika.

Keramični substrat Torbo® iz silicijevega nitrida za elektroniko

Artikel: Substrat iz silicijevega nitrida

Material: Si3N4

Barva: siva

Debelina: 0,25-1 mm

Površinska obdelava: Dvojno polirano

Nasipna gostota: 3,24 g/㎤

Površinska hrapavost Ra: 0,4 μm

Upogibna trdnost: (3-točkovna metoda): 600-1000Mpa

Modul elastičnosti: 310Gpa

Zlomna žilavost (metoda IF): 6,5 MPa･√m

Toplotna prevodnost: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor dielektrične izgube: 0,4

Prostorninska upornost: 25°C >1014 Ω･㎝

Prelomna trdnost: DC >15㎸/㎜