Plošča iz silicijevega nitrida in način njene izdelave

Ime patenta:Substrat iz silicijevega nitridain njegovo proizvodno metodo ter proizvodno metodo vezja iz silicijevega nitrida in polprevodniškega modula z uporabo plošče iz silicijevega nitrida
Tehnično področje:
Pričujoči izum vključujeSubstrat iz silicijevega nitridain metode njegove izdelave. Poleg tega izum vključuje uporabo substratov vezij iz silicijevega nitrida in polprevodniških modulov z uporabo zgorajSubstrat iz silicijevega nitrida.
Tehnika ozadja:
V zadnjih letih se je na poljih in drugih področjih električnih vozil pojavil močnostni polprevodniški modul (Močnostni polprevodniški modul) (IGBT, močnostni MOSFET itd.), ki lahko deluje z visoko napetostjo in velikim tokom. Za substrat, ki se uporablja v močnostnem polprevodniškem modulu, je mogoče uporabiti eno površino izolacijskega keramičnega substrata za kombiniranje s kovinskim vezjem, na drugi površini pa je mogoče uporabiti keramični substrat vezja s kovinsko radiatorsko ploščo. Poleg tega polprevodniški elementi na kovinskem vezju itd. Kombinacija zgoraj omenjenih izolacijskih keramičnih substratov s kovinskimi vezji in kovinskimi toplotnimi odvodi, kot je tako imenovani baker na osnovi bakra na osnovi bakra na osnovi bakra na osnovi bakra na osnovi bakra na osnovi bakra je neposredno povezan. na pravno. Za tak močnostni polprevodniški modul je odvajanje toplote večje zaradi pretakanja velikih tokov. Ker pa ima zgoraj omenjeni izolacijski keramični substrat nizko toplotno prevodnost, lahko postane dejavnik, ki ovira odvajanje toplote polprevodniških komponent. Poleg tega toplotno obremenitev povzroča stopnja toplotnega raztezanja med izolacijsko keramično podlago in kovinskim vezjem ter kovinsko ploščo hladilnega telesa. Posledica tega je, da izolacijska keramična podlaga poči in se uniči ali kovinsko vezje ali kovinsko odvajanje toplote. Plošča je odstranjena iz izolacijske keramične podlage.